Μνήμες DDR3 με προδιαγραφές 1600 Mbps και 4-gigabit

Η Elpida, ένας από τους σημαντικότερους κατασκευαστές δυναμικών μνημών τυχαίας προσπέλασης (DRAM), ανακοίνωσε σήμερα ότι έχει αναπτύξει ένα τσιπ μνήμης στα 30nm, χωριτικότητας 4-gigabit* και τύπου LPDDR3 (Low Power DDR3). Πρακτικά αυτό σημαίνει ότι τα τσιπ αυτά απευθύνονται στην αγορά των smartphones και των tablets. Επίσης το τσιπ αυτό μπορεί να αναπτύξει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων της τάξης των 1600Mbps με χαμηλή τάση λειτουργίας στα 1.2V.
Το νεοφερμένο LPDDR3 σε συνδυασμό με το προσφάτως εξελιγμένο πρότυπο υψηλής απόδοσης και χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας, Wide IO Mobile RAM, δίνει τη δυνατότητα στην Elpida να υποστηρίξει αποφασιστικά την ανάπτυξη της επόμενης γενιάς κινητών συσκευών. Εδώ είναι σημαντικό να τονιστεί ότι το πρότυπο Wide IO υποστηρίζει δεκαπλάσιο εύρος στην είσοδο και έξοδο δεδομένων συγκριτικά με τις συμβατικές μνήμες. Μάλιστα όπως αναφέρει χαρακτηριστικά η εταιρεία, η ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων είναι διπλάσια σε σχέση με το τωρινό δημοφιλέστερο πρότυπο (LPDDR2) που χρησιμοποιείται κατά κόρον από τους κατασκευαστές.
Με βάση την ταχύτητα των 1600Mbps ανά pin, μία μόνο συσκευή LPDDR3 έχει ρυθμό μεταφοράς δεδομένων της τάξης των 6.4 gigabytes ανά δευτερόλεπτο (GB/s) ή 12.8 GB/s σε high-end κινητές συσκευές που χρησιμοποιούν δύο chip. Σε σύγκριση με τις μνήμες LPDDR2, οι LPDDR3 καταναλώνουν περίπου 25% λιγότερη ενέργεια στην ίδια ταχύτητα, κάτι το οποίο δίνει τη δυνατότητα της παράτασης του χρόνου λειτουργίας των φορητών συσκευών για τις οποίες προορίζεται.
Τα πρώτα δείγματα του νέου αυτού τσιπ θα αρχίσουν να αποστέλλονται στο τέλος του έτους. Ανάλογα με την ζήτηση των πελατών, η παραγωγή αναμένεται να ξεκινήσει στα τέλη του 2012