Τα τσιπ μνήμης ReRAM βασίζονται σε υλικά των οποίων η ηλεκτρική αντίσταση αλλάζει όταν εφαρμόζεται επάνω του κάποια τάση κι έτσι μπορούν να διατηρούν τα δεδομένα χωρίς άλλη ισχύ.
Αυτά τα τσιπ υπόσχονται σημαντικά μεγαλύτερη χωρητικότητα αποθήκευσης από την τρέχουσα τεχνολογία με λιγότερη ενέργεια και μικροτερο φυσικο μεγεθος.
Ο Δρ Tony Kenyon, του τμήματος Ηλεκτρονικών και Ηλεκτρολόγων Μηχανικών του UCL, (University College London) δήλωσε ότι τα ReRAM τσιπ μνήμης χρειάζονται μόνο ένα χιλιοστό της ενέργειας και είναι περίπου εκατό φορές πιο γρήγορα από τα τυπικά τσιπ μνήμης flash.
Το γεγονός ότι η συσκευή μπορεί να λειτουργήσει σε συνθήκες περιβάλλοντος και έχει συνεχώς μεταβαλλόμενη αντίσταση ανοίγει ένα τεράστιο φάσμα των πιθανών εφαρμογών.
Σε αντίθεση με άλλα silicon oxide chips ( chip απο οξείδιο του πυριτίου), η ομάδα ανάπτυξης των ReRAM, λέει ότι δεν απαιτούν ένα κενό για να λειτουργήσουν και είναι πολύ φθηνότερα και πιο ανθεκτικά. myplaisio
0 Post a Comment:
إرسال تعليق