Πρακτικά μιλάμε για τη μετάβαση της Intel από τη κλασική σχεδίαση των transistor (FinFET), όπου έχουμε να κάνουμε με τρισδιάστατη στοίχιση αυτών, σε μια εντελώς νέα, δημιουργώντας έτσι επαναστατικά νέα προϊόντα. Μια από τις ερωτήσεις στο τέλος του συνεδρίου, είχε να κάνει με το μέλλον των τεχνολογιών και εκεί ο Mayberry είπε πως περιμένει τα nanowire τύπου transistors να μπουν σε στάδιο παραγωγής σε βάθος πέντε ετών, ωστόσο δεν είναι κάτι που μπορεί να προσφέρει συγκεκριμένη ημερομηνία κυκλοφορίας. Μαζί με άλλες μεγάλες εταιρίες του χώρου όπως η Samsung, έτσι και η Intel θα προχωρήσει σε επαναστατικές νέες μεθόδους κατασκευής.
Πριν όμως από αυτές επιβεβαιώνει πως μέσα στο 2021 θα δούμε την είσοδο των 10nm+ καθώς και ένα νέο node, αυτό των 7nm να εμφανίζεται στα product sheets της, με βλέψεις για κυκλοφορία αργότερα μέσα στο έτος. Αυτό που θα απασχολήσει την Intel, όπως και άλλες εταιρίες κατασκευής transistor, είναι η σχεδίαση Gate-All-Around (GAA) που περιλαμβάνει 'σχεδόν' αιωρούμενα transistor fins με το βασικό θετικό τους, να είναι το μικρό μέγεθος. Αυτό, μαζί με άλλα θετικά όπως το μεγαλύτερο scaling που μπορεί να προσφέρει έναντι των FinFET σχεδίων, θα καταστήσει τα GAA transistors, το επόμενο μεγάλο βήμα της Intel, στο οποίο θα βασιστούν και άλλες εταιρίες στο άμεσο μέλλον.
0 Post a Comment:
إرسال تعليق