Η Samsung με νέες mobile μνήμες υψηλού bandwidth

Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία των 50nm, η Samsung Electronics κατάφερε να δημιουργήσει DRAM chips τα οποία έχουν εύρος ζώνης τα τάξεως των 12.8 GB/s - οκτώ φορές από τις κοινές mobile DRAM (οι οποίες έχουν μέγιστο εύρος στο 1.6 GB/s) και τέσσερις φορές από τα LPDDR2 DRAM (3.2 GB/s). Για την επίτευξη του προ-αναφερόμενου εύρους, η Samsung χρησιμοποίησε 512 pins για την είσοδο και έξοδο των δεδομένων σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά των mobile DRAMs, όπου ο μέγιστος αριθμός των πιν αγγίζει τα 32. Εκτός από τις μεγάλες ικανότητες I/O, το νέο DRAM της Samsung καταναλώνει 87% λιγότερη ενέργεια από τα σημερινά DRAM. Η Samsung είπε ότι οι νέες μνήμες είναι κατάλληλες για τα tablets και τα smartphones και θα συνεχίσουν να βελτιώνονται με την πάροδο του χρόνου.

, , , , , , , ,

ΠΕΛΟΠΟΝΝΗΣΟΣ LIVE

Το δημοφιλεστερο τεχνολογικο blog. Ειδησεις και σχολια για τα καλά νεα της τεχνολογια από την πλευρα των χρηστων.

Related Posts with Thumbnails

FACEBOOK

Social Icons

Sample Text

Followers

ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΣΤΟ FREEGR

ΤΟ FREEGR.GR ΣΥΝΤΟΜΑ ΑΝΑΒΑΘΜΙΖΕΤΑΙ ΓΙΑ ΝΑ ΠΡΟΣΦΕΡΕΙ ΠΕΡΙΣΣΟΤΕΡΕΣ ΥΠΗΡΕΣΙΕΣ.