Οι δύο εταιρίες εργάζονται για αρκετό καιρό στον νέο τύπο MRAM και σύμφωνα με τα πρώτα δεδομένα, αναμένεται να μπει σε μαζική παραγωγή σε τρία χρόνια.
Οι κολοσσοί στον χώρο της τεχνολογίας Samsung και IBM σύναψαν συνεργασία για την ανάπτυξη και κατασκευή ενός νέου τύπου μνήμης ο οποίος, σε τρία χρόνια από τώρα, θα αντικαταστήσει τις τωρινές NAND Flash που συναντάμε σε πολλά προϊόντα αποθήκευσης. Ο τύπος ονομάζεται MRAM και ήδη οι ταχύτητές του είναι κατά 100 χιλιάδες φορές υψηλότερες στην εγγραφή δεδομένων από τις απλές NAND, ενώ το πιο σημαντικό είναι πως δεν φθείρονται ποτέ!
Οι ταχύτητες υπολογίζονται από τον χρόνο που απαιτείται για την εγγραφή δεδομένων ο οποίος δεν ξεπερνά τα 10 nanoseconds σε αντίθεση με το 1 milisecond των τωρινών NAND.
Η κατασκευή τους θα γίνεται στα 11 νανόμετρα ενώ στόχος τους είναι να χρησιμοποιηθούν σε φορητές συσκευές και wearables. Οι δύο εταιρίες θα συνεχίζουν να βελτιώνουν τη τεχνολογία και λέγεται πως σε τρία χρόνια από τώρα θα βγει σε μαζική παραγωγή χωρίς όμως να γνωρίζουμε εάν εκείνη τη περίοδο θα δούμε και τη πρώτη συσκευή που θα την ενσωματώνει. Εκτενείς πληροφορίες παρουσιάζονται στο άρθρο του ComputerWorld.
0 Post a Comment:
إرسال تعليق