Μνήμες βελτιωμένης κατασκευαστικής μεθόδους αποκάλυψε η Samsung οι οποίες θα βγουν στην αγορά μέσα στο έτος.
Οι νέες μνήμες των 10nm (μερικώς) έχουν αρχιτεκτονική 8-gigabit και σύμφωνα με τη Samsung αποτελούν ένα μεγάλο βήμα στην ανάπτυξη των DDR4 μιας και είναι οι πρώτες στην βιομηχανία που ξεπερνούν τις διάφορες κατασκευαστικές προκλήσεις. Τα 10nm οδηγούν σε βελτιωμένη παραγωγικότητα του εκάστοτε wafer όπου εξάγονται οι πυρήνες για πάνω από 30% λόγω του μικρότερου μεγέθους.
Παράλληλα η Samsung υπόσχεται βελτίωση στις ταχύτητες μιας και οι περισσότερες θα τρέχουν στα 3200Mbps αφήνοντας πίσω τα 2400Mbps των 20nm προκατόχων τους. Επιπρόσθετα, σημειώνεται και η βελτίωση στη κατανάλωση που θα εξυπηρετήσει τόσο τους τελικούς καταναλωτές, όσο και τις επιχειρήσεις με συστήματα που τρέχουν 24/7.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου