Η Intel προχώρησε στην κατασκευή σε κλίμακα ενός νέου είδους λανθάνουσας μνήμης [cache] χρησιμοποιώντας τις τεχνολογίες High-k και Metal Gate 45nm [που χρησιμοποιούνται και στα transistors των νέων επεξεργαστών της 45nm], γεγονός που μπορεί να σημαίνει μια νέα εποχή στη κατασκευή των επεξεργαστών, αλλά και σε άλλους τομείς των υπολογιστών. Με βάση τη νέα αυτή υπερ-συμπυκνωμένη cache, οι επεξεργαστές της εταιρείας είναι δυνατόν να ενσωματώσουν έως και τρεις με τέσσερις φορές μεγαλύτερη ποσότητα μνήμης cache σε σχέση με τα σημερινά μοντέλα [μέχρι σήμερα και στην αγορά desktop υπολογιστών, η Intel έχει παρουσιάσει τετραπύρηνα μοντέλα που ενσωματώνουν έως 12ΜΒ L2 cache].Η Intel έχει κατασκευάσει στοιχεία πύλης κοντά στα 30nm αλλά είναι σίγουρη πως μπορεί να φτάσει έως και τα 15nm με 10nm. Η τεχνολογία μνήμης FBC [Floating Point Cell] μπορεί να αυξήσει την πυκνότητα της cache κατά τρεις έως τέσσερις φορές σε σύγκριση με την τεχνολογία cache [SRAM] που χρησιμοποιείται σήμερα και που χρησιμοποιεί με τη σειρά της έξι transistors. Η τεχνολογία FBC cache χρησιμοποιεί μόλις έναν πυκνωτή [με τάσεις και στις δυο πλευρές για να συγκρατεί τη φόρτιση] τοποθετημένο στη βάση μιας μονής "μεταλλικής πύλης" 45nm [Metal Gate] η οποία με τη σειρά της βρίσκεται πάνω από ένα υπέρλεπτο πολύ χαμηλής τάσης υπόστρωμα SOI [Silicon On Insulator] πάχους 22nm. Το συγκεκριμένο "στοιχείο" είναι δυο γενιές μπροστά σε σχέση με αυτό που η Intel είχε επιδείξει το 2006 και αφορούσε σε διπλή πύλη και χωρίς το υπόστρωμα SOI.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου