Τα νέα chips του είδους προσφέρουν σημαντικά οφέλη στην απόδοση σε σχέση με εκείνα της προηγούμενης γενιάς. Μάλιστα, ξεπερνούν κατά δύο φορές σε απόδοση τα chips eUFS 2.1. Τα chips μνήμης του είδους αποτελούνται από μία στοίβα από οκτώ dies 5ης γενιάς 512-gigabit V-NAND ενώ επωφελούνται και από την κατασκευή ενός νέου, υψηλής απόδοσης ελεγκτή.
Οι ταχύτητες ανάγνωσης μπορούν να φτάσουν έως και στα 2100MB/s, που είναι διπλάσιες από αυτές των σημερινών chips τεχνολογίας eUFS 2.1 αλλά και τετραπλάσιες των σημερινών SSDs που χρησιμοποιούν το πρότυπο διασύνδεσης SATA. Οι υποστηριζόμενες από τα νέα chips της Samsung ταχύτητες εγγραφής ωστόσο, φτάνουν τα 410MB/s.
Όπως μπορείτε να δείτε και στον παρακάτω πίνακα, έχουμε επίσης αύξηση και στα υποστηριζόμενα IOPS σε σχέση με τις υπόλοιπες σημερινές λύσεις. Εκτός από chips των 512GB, η Samsung κατασκευάζει και chips 128GB ενώ μέσα στο δεύτερο μισό της χρονιάς σκοπεύει να ξεκινήσει την παραγωγή chips των 256GB και 1TB.
GSMArena, insomniagr
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου