Η SK Hynix ανακοίνωσε ότι ολοκλήρωσε την ανάπτυξη του πρώτου μονολιθικού 16Gb chip, με τεχνολογία 3ης γενιάς 10nm. Η νέα αυτή εξέλιξη θα επιτρέψει στην εταιρεία και στους συνεργάτες της να δημιουργήσουν πιο αποδοτικά και υψηλότερης χωρητικότητας DIMMs, όπως για παράδειγμα 32GB unbuffered modules για το desktop και υψηλότερης χωρητικότητας buffered modules για το enterprise.
Σύμφωνα με την εταιρεία, τα νέα chips χρησιμοποιούν τεχνολογία 10nm 3ης γενιάς, γνωστή και ως "1Z" και είναι πιστοποιημένα για ταχύτητες DDR4 3200. Η ενεργειακή απόδοση είναι βελτιωμένη και αναφέρεται 40% μικρότερη κατανάλωση σε σχέση με τα 8 Gb chips που παράγει η ίδια η SK Hynix με την τεχνολογία 10nm 2ης γενιάς (1 Ynm).
Η νέα τεχνολογία επιτυγχάνει επίσης 27% υψηλότερο ποσοστό παραγωγής bits-per-wafer, κάτι που απλά σημαίνει ότι τα νέα chips θα κοστίζουν φθηνότερα (τουλάχιστον για να παραχθούν). H SK Hynix επισημαίνει ότι η τεχνολογία 1Ζ δεν χρησιμοποιεί extreme ultraviolet lithography (EUVL), αλλά την υφιστάμενη DUV διαδικασία (Deep Ultraviolet (DUV) Photolithography).
Δεν προσδιορίζεται πότε θα δούμε στο desktop RAM modules 32GB, αλλά είναι λογικό να υποθέτουμε ότι η σειρά τους έρχεται αμέσως μετά τη μαζική παραγωγή 16GB modules που θα πραγματοποιηθεί το 2020.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου