Πλέον υπάρχει αρκετά μεγάλη δυσκολία στη κατασκευή λειτουργικών chip σε λιθογραφία κάτω των 10nm, όμως η Samsung είναι αισιόδοξη πως μπορεί να τα καταφέρει στο άμεσο μέλλον.
Έτσι, η Samsung προσπαθεί να επεκτείνει το κατασκευαστικό της έργο μέχρι και τα 4nm, χρησιμοποιώντας transistor τύπου Gate All Around FET (GAAFET), τα οποία δεν έχουν τα εμπόδια των παραδοσιακών FinFET. Μετά τα chip των 10 και των 8nm, η εταιρία θα ενσωματώσει την Extreme Ultra Violet τεχνολογία για παραγωγή chip από τα 7nm και κάτω. Παρά την "σωτήρια" μορφή του EUV και της βοήθειας του για πιο "πυκνά" σχέδια, η ενσωμάτωση του είναι πολύ αργή από την αγορά. Όμως, το EUV testing της Samsung, έχει αποδώσει έως και 1000 silicon wafers την ημέρα, με την εταιρία να κυνηγάει τον σχετικά εφικτό στόχο των 1500 wafers ανα ημέρα, κάνοντας έτσι την παραγωγή "λειτουργική" για τις ανάγκες της αγοράς.
Η εταιρία σκοπεύει να ξεκινήσει την παραγωγή 8nm chips, χρησιμοποιώντας EUV, και έπειτα θα προχωρήσει στα 7nm έχοντας μάθει όλα τα θετικά και αρνητικά του EUV. Στα 6 νανόμετρα θα δούμε τη νέα τεχνολογία Smart Scaling της Samsung, ενώ σε σχέδια μικρότερα των 5nm, τα οποία παρεμπιπτόντως η Intel ήδη προσπαθεί να βγάλει στην παραγωγή, θα πάρουμε τη πρώτη γεύση για αυτό που όλοι περιμένουν, τα 4nm, που θα κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας τη τεχνική GAAFET.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου