Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία των 50nm, η Samsung Electronics κατάφερε να δημιουργήσει DRAM chips τα οποία έχουν εύρος ζώνης τα τάξεως των 12.8 GB/s - οκτώ φορές από τις κοινές mobile DRAM (οι οποίες έχουν μέγιστο εύρος στο 1.6 GB/s) και τέσσερις φορές από τα LPDDR2 DRAM (3.2 GB/s). Για την επίτευξη του προ-αναφερόμενου εύρους, η Samsung χρησιμοποίησε 512 pins για την είσοδο και έξοδο των δεδομένων σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά των mobile DRAMs, όπου ο μέγιστος αριθμός των πιν αγγίζει τα 32. Εκτός από τις μεγάλες ικανότητες I/O, το νέο DRAM της Samsung καταναλώνει 87% λιγότερη ενέργεια από τα σημερινά DRAM. Η Samsung είπε ότι οι νέες μνήμες είναι κατάλληλες για τα tablets και τα smartphones και θα συνεχίσουν να βελτιώνονται με την πάροδο του χρόνου.
Η Samsung με νέες mobile μνήμες υψηλού bandwidth
Τρίτη, Φεβρουαρίου 22, 2011
ειδήσεις
,
τεχνολογία
,
freegr.gr
,
hardware
,
memory
,
mobility
,
news
,
samsung
,
tech
Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία των 50nm, η Samsung Electronics κατάφερε να δημιουργήσει DRAM chips τα οποία έχουν εύρος ζώνης τα τάξεως των 12.8 GB/s - οκτώ φορές από τις κοινές mobile DRAM (οι οποίες έχουν μέγιστο εύρος στο 1.6 GB/s) και τέσσερις φορές από τα LPDDR2 DRAM (3.2 GB/s). Για την επίτευξη του προ-αναφερόμενου εύρους, η Samsung χρησιμοποίησε 512 pins για την είσοδο και έξοδο των δεδομένων σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά των mobile DRAMs, όπου ο μέγιστος αριθμός των πιν αγγίζει τα 32. Εκτός από τις μεγάλες ικανότητες I/O, το νέο DRAM της Samsung καταναλώνει 87% λιγότερη ενέργεια από τα σημερινά DRAM. Η Samsung είπε ότι οι νέες μνήμες είναι κατάλληλες για τα tablets και τα smartphones και θα συνεχίσουν να βελτιώνονται με την πάροδο του χρόνου.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου