Ένα νέο είδος non volatile μνημών έρχεται στο φως μέσα από μια ομάδα του Κορεάτικου Πανεπιστημίου.
Οι σημερινές flash μνήμες πυριτίου αποτελούνται από MOSFET και χωρίζονται με ένα ή περισσότερα floating gates ανά cell που αυξάνουν στην ουσία τη χωρητικότητα. Η παρούσα τεχνολογία που απολαμβάνουμε τα τελευταία χρόνια όμως αργά ή γρήγορα πρόκειται να φτάσει στα όριά της και έτσι μηχανικοί και επιστήμονες ψάχνουν να βρουν το "επόμενο μεγάλο βήμα" που θα δώσει τη δυνατότητα στους κατασκευαστές να ξεπεράσουν τα όποια εμπόδια συναντήσουν, όπως αυτό της πυκνότητας. Τα νέα υλικά φέρνουν όμως πολλές νέες δυσκολίες στη κατασκευή, που όμως αποφέρουν αρκετά θετικά χαρακτηριστικά, όχι μόνο για λόγους έρευνας αλλά μιας και στην ουσία πρόκειται για τεχνολογία που κάποια στιγμή μπορεί να καταλήξει και στην καταναλωτική αγορά.
Ανάμεσα στις νέες τεχνολογίες που αναλύονται τα τελευταία χρόνια είναι αυτός της "αντιστασιακής" μνήμη τυχαίας προσπέλασης (ReRAM).
Η συγκεκριμένη χρησιμοποιεί την αντίσταση ενός διηλεκτρικού υλικού που ονομάζεται μεμρίστορ για να αποθηκεύσει την πληροφορία, ενώ το εξίσου σημαντικό είναι πως είναι τύπου non-volatile, δηλαδή διατηρεί τα δεδομένα της ακόμα και όταν δεν διέρχεται από ρεύμα. Παράλληλα έχει ταχύτατο ρυθμό εναλλαγής (switching) και απλή δομή κατασκευής. Τα highlights όμως της τεχνολογίας είναι η ελαστικότητα που έχει η όλη κατασκευή αλλά και η διαφάνειά της, κάτι που ίσως δώσει νέα διάσταση σε αντίστοιχες μελλοντικές συσκευές όπως SSD και πολλά ακόμη.
Η ομάδα των μηχανικών από την DIANA (Korea University) και το ONDEV (Dongguk University) ερευνούν εδώ και καιρό τις ανερχόμενες τεχνολογίες όπως τις ReRAM και σύμφωνα με τις πληροφορίες, διάφανες και ελαστικές συσκευές αποθήκευσης ίσως να μην αποτελούν όνειρο θερινής νυκτός, αλλά κάτι που θα γίνει mainstream τα επόμενα χρόνια.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου