Αυτή την φορά ο «ένοχος» είναι η Samsung και φαίνεται πως η εταιρεία από την Ν. Κορέα ετοιμάζεται ψυχολογικά να αντιμετωπίσει μια νέα δίκη όπου κατηγορείται για παράβαση πατεντών που σχετίζονται με την τεχνολογία FinFET. Αυτή είναι τεχνολογία που ακούγεται εδώ και ένα δίμηνο ότι θα χρησιμοποιηθεί στον κορυφαίο επεξεργαστή της Qualcomm, Snapdragon 835 της Qualcomm. Τα νοτιοκορεάτικα ΜΜΕ αναφέρουν πως το Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) με έδρα τις ΗΠΑ, ετοιμάζεται να καταθέσει μήνυση στη Samsung για παραβίαση πατέντας, υποστηρίζοντας πως αυτοί ήταν οι πρώτοι που ανέπτυξαν την τεχνολογία 10nm FinFET που ετοιμάζεται να χρησιμοποιήσει η Samsung στα chips κάτι που θεωρούν ως υποκλοπή σχεδίων.
Το αδίκημα φαίνεται πως συνέβει όταν η Samsung κάλεσε τον Lee Jong-ho, καθηγητή του Seoul National University και συνεργάτη του KAIST για την τεχνολογία FinFET προκειμένου να δείξει στους μηχανικούς της πως λειτουργεί η τεχνολογία. Ακολούθως επεξεργάστηκε τα σχέδια και αντιγράφοντας την εφεύρεση του Lee μπόρεσε να μειώσει τον χρόνο ανάπτυξης και το κόστος, κάνοντας σκέψεις για χρήση αυτή της τεχνολογίας σε δικά της chipsets. Το πρόβλημα είναι ότι συνέχισε να χρησιμοποιεί την εφεύρεση χωρίς να έχει την άδεια ή να πληρώνει το απαραίτητο ποσό. Σύμφωνα με τις τελευταίες εξελίξεις, η Intel αναγνωρίζει ότι το KAIST είναι ο πραγματικός δημιουργός της τεχνολογίας FinFET και ήδη έχει πάρει την άδεια για να την χρησιμοποιήσει, αλλά η Samsung δεν έχει προχωρήσει ακόμη σε αυτό το βήμα. Στο στόχαστρο μπαίνουν και άλλες εταιρείες με την υπόνοια των παραβιάσεων, συμπεριλαμβανομένων των Qualcomm και TSMC.
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου