Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι έχει επεκτείνει το χαρτοφυλάκιο μνήμης DDR5 DRAM με την πρώτη μονάδα 512 GB DDR5 της βιομηχανίας που βασίζεται στην τεχνολογία επεξεργασίας High-K Metal Gate (HKMG). Παρέχοντας περισσότερες από δύο φορές την απόδοση της DDR4, έως και 7.200 megabits ανά δευτερόλεπτο (Mbps), η νέα DDR5 θα είναι ικανή να ενορχηστρώνει τους πιο ακραίους φόρτους εργασίας υπολογιστών με υψηλό εύρος ζώνης, εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης (AI) και μηχανικής μάθησης ( ML), καθώς και ανάλυσης δεδομένων.
Η DDR5 της Samsung θα χρησιμοποιεί εξαιρετικά προηγμένη τεχνολογία HKMG που παραδοσιακά χρησιμοποιείται σε λογικούς ημιαγωγούς. Με τη συνεχιζόμενη σμίκρυνση των δομών DRAM, το στρώμα μόνωσης έχει αραιωθεί, οδηγώντας σε υψηλότερο ρεύμα διαρροής. Αντικαθιστώντας τον μονωτή με υλικό HKMG, η DDR5 της Samsung θα είναι σε θέση να μειώσει τη διαρροή και να φτάσει σε νέα ύψη απόδοσης. Αυτή η νέα μνήμη θα χρησιμοποιεί επίσης περίπου 13% λιγότερη ισχύ, καθιστώντας την ιδιαίτερα κατάλληλη για κέντρα δεδομένων όπου η ενεργειακή απόδοση γίνεται όλο και πιο κρίσιμη.
Η τεχνολογία HKMG υιοθετήθηκε στη μνήμη GDDR6 της Samsung το 2018 για πρώτη φορά στον κλάδο. Επεκτείνοντας τη χρήση της στη DDR5, η Samsung ενισχύει περαιτέρω την ηγετική της θέση στην τεχνολογία DRAM επόμενης γενιάς.
Αξιοποιώντας την τεχνολογία "through silicon-via" (TSV), η DDR5 της Samsung συσσωρεύει οκτώ στρώματα τσιπ DRAM 16Gb για να προσφέρει τη μεγαλύτερη χωρητικότητα 512 GB. Η τεχνολογία TSV χρησιμοποιήθηκε για πρώτη φορά σε μνήμες DRAM το 2014 όταν η Samsung παρουσίασε μονάδες διακομιστή με χωρητικότητα έως 256 GB.
Η Samsung δοκιμάζει, επί του παρόντος, διαφορετικές παραλλαγές της οικογένειας προϊόντων μνήμης DDR5 σε πελάτες για επαλήθευση και τελική πιστοποίηση. thelab
&via=stc_network)
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου